BS EN 62373-2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
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时间:2024-05-11 03:29:37
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【英文标准名称】:Bias-temperaturestabilitytestformetal-oxide,semiconductor,field-effecttransistors(MOSFET)
【原文标准名称】:金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
【标准号】:BSEN62373-2006
【标准状态】:现行
【国别】:英国
【发布日期】:2006-09-29
【实施或试行日期】:2006-09-29
【发布单位】:英国标准学会(BSI)
【起草单位】:BSI
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:检验设备;元部件;定义;电气工程;电子工程;电子设备和元件;场效应晶体管;极限(数学);测量设备;MOSFET;额定值;半导体器件;稳定性;温度应力;测试;测试装置;热应力;晶体管
【英文主题词】:
【摘要】:ThisInternationalStandardprovidesatestprocedureforabias-temperature(BT)stabilitytestofmetal-oxidesemiconductor,field-effecttransistors(MOSFET).
【中国标准分类号】:L40
【国际标准分类号】:31_080_30
【页数】:16P;A4
【正文语种】:英语
【原文标准名称】:金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
【标准号】:BSEN62373-2006
【标准状态】:现行
【国别】:英国
【发布日期】:2006-09-29
【实施或试行日期】:2006-09-29
【发布单位】:英国标准学会(BSI)
【起草单位】:BSI
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:检验设备;元部件;定义;电气工程;电子工程;电子设备和元件;场效应晶体管;极限(数学);测量设备;MOSFET;额定值;半导体器件;稳定性;温度应力;测试;测试装置;热应力;晶体管
【英文主题词】:
【摘要】:ThisInternationalStandardprovidesatestprocedureforabias-temperature(BT)stabilitytestofmetal-oxidesemiconductor,field-effecttransistors(MOSFET).
【中国标准分类号】:L40
【国际标准分类号】:31_080_30
【页数】:16P;A4
【正文语种】:英语
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